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Vishay推出了一种新型40V n沟道MOSFET半桥功率级

Vishay Intertechnology,Inc.​​推出了一种新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级,该功率级可为白色家电以及工业,医疗,医疗保健,医疗保健,和电信应用程序。 Vishay Siliconix SiZ240DT在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了高侧和低侧MOSFET,提供了同类最佳的导通电阻和导通电阻乘以栅极电荷的能力-用于MOSFET的关键品质指标(FOM)电源转换应用。

SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部以半桥配置连接。 SiZ240DT的通道1 MOSFET(通常用作同步降压转换器中的控制开关)在10 V时提供最大8.05mΩ的导通电阻,在4.5 V时提供12.25mΩ的最大导通电阻。通道2 MOSFET(通常是同步开关)在10 V时导通电阻为8.41mΩ,在4.5 V时导通电阻为13.30mΩ。这些值比最接近的竞争产品低16%。当与6.9 nC(通道1)和6.5 nC(通道2)的低栅极电荷结合使用时,所产生的导通电阻乘以栅极电荷FOM比次之的最佳器件低14%,从而为快速开关应用提供了更高的效率。

 

今天发布的双MOSFET比采用6mm x 5mm封装的双器件小65%,是市场上最紧凑的集成产品之一。除了用于同步降压,DC / DC转换的半桥功率级之外,它还为设计师提供了一种节省空间的解决方案,用于真空吸尘器,无人机,电动工具,家庭/办公室自动化和非植入式医疗设备中的电机控制,电信设备和服务器中的无线充电器和开关模式电源。

 

集成的MOSFET采用无导线内部结构,可将寄生电感降至最低,从而实现高频开关,从而减小了磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低了噪声,从而进一步增强了器件的开关特性。 SiZ240DT经过100%的Rg和UIS测试,符合RoHS要求,并且不含卤素。

 

新型双MOSFET的样品和量产批量现已提供,大宗订单的供货周期为12周。

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